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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 綜合 |
|---|
用于布拉格光柵
我們提供2種不同類型的光敏單模光纖：
IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗（無CMF包層模）。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑，其具有相對低的光敏性，該光敏性可以用氫負載來增強。主要優點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制，使其適用于補償大色散的光柵。
IXF-PHO-CMS設計用于調整包層模式偏移（CMS包層模式偏移），以優化信道間隔。這種光纖具有非常高的鍺纖芯濃度，與國外摻硼纖芯光纖相比具有低的衰減，在沒有氫負載的情況下實現高反射率光柵。CMS系列將使包層模式偏移高達10 nm。
兩種光敏纖維對常規UV輻射技術都表現出均勻和受控的光敏性。類似的纖維也有聚酰亞胺涂層，適用于惡劣環境。
光敏單模光纖關鍵特征
l出色的包層模抑制
l與傳輸匹配的模場直徑
應用覆蓋
l光纖布拉格光柵
l增益平坦濾波器
l寬帶濾波器
l溫度和應變傳感器
技術數據
主要規格
產品名稱 | 光纖纖芯直徑(μm) | 纖芯數值孔徑 | 衰減@1550nm (dB/km) | 截止波長(nm) | 模場直徑(μm) | SMF的拼接損耗(dB) | 包層模式 |
IXF-PHO-CMF | 8.2 | 0.13 | < 0.5 | < 1400 | 10.5 +/- 1 | < 0.07 | < 0.2 dB for FBG > 30 dB |
IXF-PHO-CMF-PM | 8.2 | 0.13 | < 0.5 | < 1450 | 10.5 +/- 1 | < 0.07 | < 0.2 dB for FBG > 30 dB |
IXF-PHO-CMSp | 5 | 0.21 | < 2 | < 1450 | 6 +/- 1 | < 0.12 | Shift up to 4 nm |
IXF-PHO-CMS | 2.8 | 0.37 | < 10 | < 1450 | 4 +/- 1 | < 0.25 | Shift up to 9 nm |
常見規格
外包層直徑（μm）：125+/-2
涂層直徑（μm）：245+/-15
芯/涂層濃度誤差（μm）：<15
驗證試驗等級（KPSI）：100
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